Ultraljubičaste LED-ove i njihove primjene su važan razvojni pravac poluprovodniče treće generacije. Kako bi se ubrzala velika naučna i tehnološka istraživanja i transformacija dostignuća, 2020. godine, Institut poluvodiča Kineske akademije nauka je preduzimao istraživački i razvojni zadatak projekta "High-Efficiency High-Efficiency Deep Ultraviolet LED Chip Technology".
Kao nova generacija ultraljubičastog izvora svjetlosti, nitrid duboki ultraljubičasti LED privukao je veliku pažnju istraživača i industrije iz celog sveta, a napravljeni su i proboji u tehnološkim inovacijama i inovacijama aplikacija. Jačanjem osnovnih teoretskih istraživanja i uvođenjem novih tehnologija, projektna jedinica se fokusira na ključ visokokvalitetnih aln template materijala, velike neusuglasice heteroepitaksijalne mane i kontrolu stresa AlGaN materijala, Visokoučinkoviti kvantni strukturni dizajn i epitaksija, te visokoučinkoviti duboki ultraljubičasti LED čipovi Istraživački rad na tehnologiji pripreme i naprednoj tehnologiji pakiranja značajno je poboljšao unutrašnju kvantnu efikasnost i efikasnost vađenja svjetlosti duboko ultraljubičastih LED čipova. Visokomoćni duboko-ultraljubičasti LED čipovi pripremljeni imaju sijajuću snagu veću od 40mW, a razvijena je i duboko ultraljubičasta svjetlosna snaga veća od 1W. LED modul, život modula je više od 5000 sati.
Trenutno su relevantni proizvodi velike snage proizvedeni u malim grupama. Nakon što se poveća razmjer industrijalizacije, može efektivno smanjiti troškove čipova i cijene proizvoda, promicati duboku ultraljubičastu LED industriju kako bi otvorila nova polja primjene i tržišta, te učinkovito promovirala razvoj industrija povezanih uzvodno i nizvodno, a ekonomske i socijalne koristi bit će vrlo značajne.
